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J-GLOBAL ID：201702274294209892   整理番号：17A1425114

希金属をドープした金属-酸化物-半導体に基づく水素センサ:レビュー【Powered by NICT】

Hydrogen sensors based on noble metal doped metal-oxide semiconductor: A review

著者 (5件)： Luo Yifan (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Zhang Chao (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Zheng Bingbing (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Geng Xin (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Debliquy Marc (Service de Science des Materiaux, Faculte Polytechnique, Universite de Mons, Mons 7000, Belgium)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 31  ページ： 20386-20397  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来エネルギーの枯渇により,H_2のような新しいエネルギー資源に対する関心が高まっている。可燃性と爆発性のために,輸送と使用過程中のppmレベルのH_2を検出に不可欠であり挑戦的である。本論文では,まず希金属をドープした金属酸化物半導体に基づく水素センサの動作原理と検出機構を紹介した。,ここでは,最近の,特に室温水素センサ,貴金属をドープした金属酸化物水素センサの進歩に焦点を当てた。最後に,著者らは,特別な形態を持つ半導体を作製する,グラフェン/MoS2_2のような2Dナノ材料をもつ二金属ドーピングや複合半導体のための二種類の貴金属を用いた低H_2濃度に対する室温センシング特性を改善するために将来の研究のための強調されるべきであることを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化物 ,  グラフェン ,  可燃性 ,  *半導体 ,  ナノ材料 ,  爆発性 ,  *レアメタル ,  貴金属 ,  *ドーピング ,  金属酸化物 ,  エネルギー資源 ,  化合物半導体 ,  酸化物半導体 ,  *水素センサ
準シソーラス用語： 動作原理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 貴金属 ,  金属酸化物 ,  半導体 ,  水素センサ

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 希金属 ,  ドープ ,  酸化物 ,  水素センサ ,  レビュー