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J-GLOBAL ID：201702274341413893   整理番号：17A1646277

SiGeデバイスにおけるドーパントの拡散と偏析,Si-Ge相互拡散と欠陥工学【Powered by NICT】

Dopant diffusion and segregation, Si-Ge interdiffusion and defect engineering in SiGe devices

著者 (1件)： Xia Guangrui (Department of Materials Engineering, University of British Columbia, Vancouver, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 280-283  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe材料系におけるドーパント拡散と偏析,Si-Ge相互拡散と欠陥工学に関する最近の研究進歩をレビューした,これはSiGe PNPヘテロ接合バイポーラトランジスタ,金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ,およびGe-on-Siレーザを含むSiGeベース半導体デバイスに関連している。実験データと連続体モデリングを検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *偏析 ,  半導体素子 ,  FET【トランジスタ】 ,  レーザ ,  *ドーパント ,  半導体 ,  *相互拡散 ,  HBT【トランジスタ】 ,  酸化物 ,  モデリング ,  連続体
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiGe ,  ドーパント ,  拡散 ,  偏析 ,  Si ,  Ge ,  相互拡散 ,  欠陥 ,  工学