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J-GLOBAL ID：201702274659208764   整理番号：17A1637458

CDM ESD保護のためのTCADとVFTLPによるDTSCRの比較研究【Powered by NICT】

A comparison study of DTSCR by TCAD and VFTLP for CDM ESD protection

著者 (12件)： Wang Chenkun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, USA) ,  Zhang Feilong (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, USA) ,  Lu Fei (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, USA) ,  Chen Qi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, USA) ,  Li Cheng (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, USA) ,  Zhao Meng (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai, China) ,  Gu Huihui (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai, China) ,  Feng Guangtao (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai, China) ,  Wu Hongying (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai, China) ,  Tang Tianshen (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai, China) ,  Cheng Yuhua (Shanghai Research Institute of Microelectronics, Peking University, Shanghai, China) ,  Wang Albert (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,超高速荷電デバイスモデル(CDM)ESD保護のためのダイオードトリガシリコン制御整流器(DTSCR)静電放電(ESD)保護構造の過渡的挙動の研究を報告する。,28nm CMOSプロセスで製作した,DTSCR ESD保護構造を新しい複合超高速伝送線路パルス(VFTLP)試験とTCADシミュレーション法,CDM ESDパルス波形の超短持続時間の効果によるVFTLP試験の欠乏問題を解決することを用いて特性化した。結果は,オーバーシュート,ターンオン時間,ターンオン遅延などのより良い評価を与えることをVFTLPと実際のCDM ESD(静電気放電)下のDTSCR挙動の重要な違いを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固体素子モデル ,  パルス ,  伝送線路 ,  継続時間 ,  電荷 ,  *ターンオン ,  キャラクタリゼーション ,  オーバシュート ,  サイリスタ ,  シミュレーション
準シソーラス用語： パルス波形 ,  静電気放電 ,  *ESD保護 ,  超高速 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (4件)： CDM ,  ESD保護 ,  TCAD ,  研究