半導体信頼性のためのミッションプロファイルからの有効応力時間と応力レベルの評価【Powered by NICT】

Hirler A.; Biba J.; Alsioufy A.; Alsioufy A.; Lehndorff T.; Lehndorff T.; Sulima T.; Lochner H.; Abelein U.; Hansch W.

文献

J-GLOBAL ID：201702274675084537 整理番号：17A1544900

半導体信頼性のためのミッションプロファイルからの有効応力時間と応力レベルの評価【Powered by NICT】

Evaluation of effective stress times and stress levels from mission profiles for semiconductor reliability

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資料名：
巻： 76-77 ページ： 38-41 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

自動車エレクトロニクスの寿命とデューティサイクルは増加しており,信頼性予測と試験への新しい挑戦を誘導した。認定の目的のために,自動車産業は異なる使用症例に応じた種々のストレス要因と変化する応力レベルと種々の時間依存ミッションプロファイルを生成する。等価信頼性試験のための時間依存ミッションプロファイルからストレス要因を二単一パラメータ「有効応力レベル」と「有効応力時間」に一般的なアプローチを記述する理論モデルを示した。第一段階では,累積曝露(CE)モデルをステップ状応力レベル変化後の将来の信頼性挙動を記述することを示した。対応するWeibull分布の個々の特性寿命T_63を考慮に入れて,第二段階で,効果的なT_63寿命を導くことができた。この計算のために,周期的応力サイクルを定義し,変換した等価有効応力レベルに入れた。この手順は,信頼性試験のための有効応力レベルを扱う産業使用アプローチを確認した。実験検証のために金属-酸化物-半導体(MOS)キャパシタを作製し,ストレス電圧と温度であった。受信信頼性データは,統計的変動の範囲内で理論的予測に適合した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 金属-絶縁体-半導体構造

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