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J-GLOBAL ID：201702274925216090   整理番号：17A1244775

基板転写技術によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおける効率的熱散逸【Powered by NICT】

Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technique

著者 (3件)： Hiroki Masanobu (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan) ,  Kumakura Kazuhide (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan) ,  Yamamoto Hideki (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板からのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を移動した六方晶窒化ホウ素(h BN)エピタキシャルリフトオフ法を用いて銅板。HEMTと銅板間の結合接着はAu-Au熱圧着過程を最適化し,リフトオフ後にh-BN残留層を除去することにより改善された。Ramanサーモグラフィーによる推定熱抵抗が6mm°C/W,これはSiC基板上に成長したHEMTのそれに匹敵すると低かった。結果として,自己加熱効果によるI_d対V_dsの減少は無視できるレベルまで抑制された。これらの結果は,基板移動法は,GaNベース電子デバイスの高出力性能を達成するのに有効であることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： サーモグラフィー ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  熱抵抗 ,  エピタクシー ,  接着 ,  最適化
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  高出力 ,  自己加熱 ,  銅板 ,  リフトオフ ,  サファイア基板 ,  *熱散逸 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  窒化ほう素 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  基質移動 ,  熱管理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 転写 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  熱散逸