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J-GLOBAL ID：201702274951406540   整理番号：17A1170527

高純度N極性(In,Ga)N膜の成長【Powered by NICT】

Growth of high purity N-polar (In,Ga)N films

著者 (5件)： Lund Cory (Electrical & Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Nakamura Shuji (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  DenBaars Steven P. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Mishra Umesh K. (Electrical & Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Keller Stacia (Electrical & Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 464  ページ： 127-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二次イオン質量分光法を用いて,MOCVDで成長させたN極性[000 1]GaN膜中の炭素と酸素の不純物混入を研究するために用いた。成長温度,V/III比,前駆体流の効果を,高インジウム濃度を含むデバイス構造のための低温(In,Ga)N:Mg成長に関連した領域内で研究した。マグネシウムなしで成長させた膜では,酸素レベルは3と8×10~16cm~ 3であり,成長条件に強く依存しなかった。Mgをドープした膜はガリウムとマグネシウム前駆体流量に依存して,8×10~16から4×10~17cm~ 3の範囲の高い酸素濃度が得られた。膜中の炭素濃度は,異なる成長条件で有意に変化し,成長温度とV/III比による影響を最も多く受けた。成長パラメータの注意深い調整により,それぞれ,炭素と酸素濃度2と4×10~16cm~ 3は,広範囲の条件で達成可能であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 素子構造 ,  MOCVD ,  ドーピング ,  *極性 ,  低温 ,  炭素 ,  流量 ,  前駆体 ,  マグネシウム ,  酸素 ,  *インジウム ,  不純物
準シソーラス用語： 酸素濃度 ,  成長条件 ,  成長温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1不純物 ,  A1極性 ,  A1N極性 ,  A3有機金属化学蒸着 ,  B1窒化物

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高純度 ,  極性 ,  Ga ,  成長