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J-GLOBAL ID：201702274964752357   整理番号：17A1444963

すべて層状2次元オプトエレクトロニクス:Bi_2Te_3トポロジカル絶縁体電極を用いた高性能UV-vis-NIR広帯域SnSe光検出器【Powered by NICT】

All-Layered 2D Optoelectronics: A High-Performance UV-vis-NIR Broadband SnSe Photodetector with Bi₂Te₃ Topological Insulator Electrodes

著者 (3件)： Yao Jiandong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, P. R. China) ,  Zheng Zhaoqiang (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, P. R. China) ,  Yang Guowei (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 33  ページ： ROMBUNNO.201701823  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノエレクトロニクスは現在の物理的ボトルネックを突破と統合レベルの新記録を達成するために,10nmとダングリングボンドがない表面下超薄厚さの例外的なデバイスアーキテクチャの差し迫った需要である。2次元van der Waals材料の進歩は新しいアクセシビリティ科学者を与えた。本研究では,すべての層状2D Bi_2Te_3SnSe Bi_2Te_3光検出器を報告し,近赤外(808 nm)紫外(370 nm)からデバイスの広帯域光応答を実証した。添加では,最適化された応答性は5.5A W~ 1に達し,1833%の対応する永久量子効率と6×10~10cm Hz~1/2W~ 1の検出感度であった。これらの数字の利点は,報告された全ての層状2次元光検出器の最良値,以前のSnSe光検出器のそれよりも数桁高いであるである。優れたデバイス性能はBi_2Te_3トポロジカル絶縁体の高導電性表面状態,Bi_2Te_3とSnSeと同様に小さな界面ポテンシャルゆらぎ間の完全なバンドアラインメントの相乗効果に起因していた。一方,すべての層状2Dデバイスは,柔軟なマイカ基板上に構築し,その光応答は60回の折曲げ繰返しに不変のままである。所見は,次世代高性能・高集積度フレキシブルオプトエレクトロニクスの進歩のための基本的なシナリオを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応答特性 ,  導電性 ,  *広帯域 ,  相乗作用 ,  量子効率 ,  *二次元 ,  ゆらぎ ,  *光検出器 ,  *オプトエレクトロニクス ,  最適化 ,  折畳み ,  近赤外線 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 光応答 ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 2D材料 ,  すべての層状2次元光検出器 ,  トポロジカル絶縁体

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 層状 ,  2次元 ,  オプトエレクトロニクス ,  トポロジカル絶縁体 ,  高性能 ,  広帯域 ,  光検出器