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J-GLOBAL ID：201702275031060270   整理番号：17A1262381

ナノスケールフォトトランジスタの感度限界【Powered by NICT】

Sensitivity Limit of Nanoscale Phototransistors

著者 (4件)： Rezaei Mohsen (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Bio-inspired Sensors and Optoelectronics Laboratory, Northwestern University, Evanston, IL, USA) ,  Park Min-Su (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Bio-inspired Sensors and Optoelectronics Laboratory, Northwestern University, Evanston, IL, USA) ,  Tan Chee Leong (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Bio-inspired Sensors and Optoelectronics Laboratory, Northwestern University, Evanston, IL, USA) ,  Mohseni Hooman (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Bio-inspired Sensors and Optoelectronics Laboratory, Northwestern University, Evanston, IL, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 8  ページ： 1051-1054  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトトランジスタ検出器(PTD)における光利得機構は低光条件で調べた。PTDの検出可能な光子の最小数の物理的限界の導出した解析的公式。この定式化は,itsmaterial組成にかかわらず,PTDの感度は,ベース層での正規化全静電容量の平方根に関係することを示した。ベース全静電容量はPTDのサイズに直接比例するため,定式化はPTDの感度に及ぼすスケーリング効果を示した。proposedmodelは広範囲PTDを調査するために使用することができる,ナノワイヤ,単分子層およびバルクデバイスを含む。モデルの能力を例証するために,二種類のPDT,短波赤外(SWIR)検出のためのトップ-ダウン作製に紫外および他のためのボトムアップ作製に一つ,を用いた。SWIR PTDでは,InGaAs系デバイスの検討したスケーリング効果。モデリングは,ナノスケール電子面積を持つこのPTDは室温でも単一光子雑音等価パワーに達することができることを予測した。著者らの知識の及ぶ限りでは,これは極端に低い光検出のためのPTDの感度に関する最初の包括的研究である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  静電容量 ,  *フォトトランジスタ ,  光子 ,  モデリング ,  ナノワイヤ ,  光検出 ,  定式化 ,  単分子層 ,  正規化 ,  雑音
準シソーラス用語： 単一光子 ,  *ナノスケール ,  SWIR ,  光利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 感度 ,  限界