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J-GLOBAL ID：201702275072172779   整理番号：17A1391408

デュアルゲート構造を用いたゲートリセス型AlGaN/GaNトランジスタのサブしきい値特性の改善【Powered by NICT】

Improvement of Subthreshold Characteristic of Gate-Recessed AlGaN/GaN Transistors by Using Dual-Gate Structure

著者 (13件)： Yang Ling (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Mi Minhan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hou Bin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhu Jiejie (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Meng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  He Yunlong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Lu Yang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhu Qing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhou Xiaowei (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Lv Ling (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Cao Yanrong (School of Mechano-Electronic Engineering, Xidian University, Xi’an, China) ,  Ma Xiaohua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4057-4064  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲート(DG)構造を用いたゲートリセス高電子移動度トランジスタ(HEMT)のサブしきい値特性を系統的に調べた。リセスDG構造は正の方向におけるしきい値電圧(V_th)をシフトさせることができる。リセスゲート(SG)デバイスにおけるV_thとAlGaN厚さ(t_b)間の複雑な機能発現とは異なり,t_bとV_thの変化はリセスゲート素子における単調である。リセスDG装置は 3×10~ 10mmの低オフ状態漏れ電流を示し,ゲート誘起ドレイン漏れが効果的に改善される。より高いI_ON/I_OFF範囲リセスゲート素子の約2倍に広げ,リセス単一ゲート素子よりもt_bのより広い範囲を提供する。DG構造は単一ゲート素子よりもドレイン-ソース抵抗(R_ds)とゲート-ドレイン抵抗(R_gd)に強い変調効果を持っている。~100mV/decの低いサブスレッショルドスイング(SS)は,埋込みDG設計によって得られた。最初のゲートとドレインの間の空乏領域の横方向の広がりを誘導する第二ゲートのために,オフ状態の漏れ電流,および最初のゲート逆漏れは著しく改善した。リセスDGアーキテクチャ設計は,SSとオフ状態電流対異なるAlGaN障壁の厚さの変動を効果的に改善できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  漏れ電流 ,  *トランジスタ ,  電流
準シソーラス用語： アーキテクチャ設計 ,  空乏領域 ,  オフ状態 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  閾値電圧 ,  *サブ閾値 ,  *AlGaN/GaN ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： デュアルゲート ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  トランジスタ ,  サブしきい値