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J-GLOBAL ID：201702275079440225   整理番号：17A1386176

バイポーラ型プラズマベースイオン注入システムを用いた高出力パルスマグネトロンスパッタリングにより作製した導電性ダイヤモンド状炭素膜【Powered by NICT】

Conductive diamond-like carbon films prepared by high power pulsed magnetron sputtering with bipolar type plasma based ion implantation system

著者 (4件)： Nakao Setsuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Kimura Takashi (Nagoya Institute of Technology, Japan) ,  Suyama Taku (Nagoya Institute of Technology, Japan) ,  Azuma Kingo (University of Hyogo, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 77  ページ： 122-130  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド状炭素(DLC)膜をバイポーラ型プラズマベースイオン注入(PBII)と組み合わせた高出力パルスマグネトロンスパッタリング(HPPMS)によって調製した。微細構造,膜の電気的および機械的性質を,Raman分光法,X線光電子分光法(XPS),四点プローブ抵抗率測定とナノ圧子試験による正パルスパワー(P_P)の関数として調べた。添加では,パルス列の影響も調べた。比較のために,いくつかの試料は200~400°Cの温度範囲で真空中でアニールした。抵抗率測定の結果は,導電性DLC膜は両極性パルス電圧を印加することによって形成され,抵抗率はP_pの増加と共に減少することを明瞭に示した。温度は最大で真空サーモラベルを用いた200°Cであると推定された。RamanとXPS分析はsp~2クラスタは,P_pの増加と共に増加することを明らかにした。しかし,導電性DLC膜の硬さは約12GPaに保持された。パルス配列の比較から,膜の微細構造と性質をイオン衝撃効果により影響されることを示唆した。アニールした試料の場合,.~2クラスタも温度の上昇と共に増加した。しかし,アニールした膜は電気的に絶縁と硬さは温度の上昇と共に僅かに低下した。これらの結果から,両極性パルス電圧印加したHPPMS PBIIシステム内で相対的に低い温度で導電性DLC膜の形成に有効であることを結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *導電性 ,  Raman分光法 ,  クラスタ ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  DLC膜 ,  *イオン注入 ,  硬度 ,  微細構造 ,  *プラズマ ,  *パルス ,  機械的性質 ,  電気抵抗率 ,  両極性 ,  *高出力 ,  性質
準シソーラス用語： パルス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ダイヤモンド状炭素 ,  高出力パルスマグネトロンスパッタリング ,  バイポーラパルス電圧 ,  プラズマに基づくイオン注入 ,  電気抵抗率 ,  正パルスパワー

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： バイポーラ ,  プラズマ ,  イオン注入 ,  高出力 ,  パルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  導電性 ,  ダイヤモンド状炭素