SiO<sub>2</sub>へのイオン注入により作製したゲルマニウムナノ結晶の微細構造に及ぼすGe濃度の影響

GE L. H.; WANG C.; CAI R. S.; LIANG W. S.; WANG Y. Q.; ROSS G. G.; BARBA D.

文献

J-GLOBAL ID：201702275089293296 整理番号：17A0502683

SiO₂へのイオン注入により作製したゲルマニウムナノ結晶の微細構造に及ぼすGe濃度の影響

Effect of Ge Concentration on the Microstructure of Germanium Nanocrystals Produced by Ion Implantation in SiO₂

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資料名：
巻： 17 号： 3 ページ： 2196-2200 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

他の方法よりも母材中のGe密度を極めて良く制御できるイオン注入法を用いて,(110)Si基板上に成長させたSiO₂膜中にGe⁺イオンを注入しGeナノ結晶を合成した。850°Cで焼なましたナノ結晶を透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察した。Ge濃度が増すと,Geナノ結晶の直径,不均一性,深さ分布が連続して増大した。最大のGeナノ結晶は注入Ge濃度が最高である試料領域で形成され,高度に大きさ選択的Geナノ結晶の深さ分布が得られた。Geナノ結晶核形成に寄与する注入Geの量は調べた試料で60~40%と推定され,大量注入SiO₂層中のGeの熱拡散の減少の可能性を示唆した。

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半導体の結晶成長

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SiO2へのイオン注入により作製したゲルマニウムナノ結晶の微細構造に及ぼすGe濃度の影響

SiO₂へのイオン注入により作製したゲルマニウムナノ結晶の微細構造に及ぼすGe濃度の影響