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J-GLOBAL ID：201702275094229426   整理番号：17A1403121

タングステン酸ナノシートを利用したトンネル構造をもつ極薄n-nヘテロ接合体の光機能

著者 (4件)： 岸本史直 (東京工大) ,  椿俊太郎 (東京工大) ,  米谷真人 (東京工大) ,  和田雄二 (東京工大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 120th  ページ： 105  発行年： 2017年09月05日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： n型半導体同士のヘテロ接合体は,優秀な光触媒として報告があるものの,n-n接合界面の電子構造と光触媒活性に関する理解は僅少である。本研究では,n型半導体である酸化タングステン(WO₃)の極薄層(<1nm)をn型半導体単結晶基板上に形成し,n型半導体同士のヘテロ接合体を作製した。この接合によってWO₃の価電子帯上端準位は正シフトした。すなわち,光励起によってWO₃中に生じる光生成ホールは,強い酸化力を持つと結論できる。(著者抄録)

シソーラス用語： *光触媒 ,  *酸化タングステン ,  N型半導体 ,  *ナノシート ,  結晶構造 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *ヘテロ接合 ,  光子 ,  エネルギー準位 ,  光ポンピング ,  光生成 ,  価電子バンド ,  正孔 ,  伝導バンド ,  電子 ,  光触媒反応 ,  *酸化 ,  水 ,  触媒活性 ,  電子構造 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： トンネル構造 ,  価電子帯 ,  光励起 ,  *水の酸化 ,  伝導帯 ,  半導体ヘテロ接合

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： タングステン酸 ,  ナノシート ,  トンネル構造 ,  ヘテロ接合体 ,  光機能