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J-GLOBAL ID：201702275320493505   整理番号：17A0132688

窒化シリコンの準原子層エッチング

Quasi-atomic layer etching of silicon nitride

著者 (2件)： Sherpa Sonam D. (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203) ,  Ranjan Alok (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01A102-01A102-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層エッチング(ALE)は連続およびパルスのプラズマプロセスに関連する課題(選択性,形状,アスペクト比依存エッチングの間のトレードオフ)を解決する有望な技術である。シリコン,酸化物,および他の材料に比べ,窒化シリコンの原子層エッチングに関する報告は多くない。本研究では,市販のエッチング槽内で窒化シリコンの自己律速エッチングを試みた。本稿で論じるプロセスは2つの引き続くステップからなる。すなわち,水素プラズマによる表面改質と,引き続くフッ素系プラズマによる改質層の除去である。ALE特性に加え,このプロセスが異方的であり,酸化物に対する選択性が>100であることを示す。サイクル当り1単原子層の飽和エッチ速度は得られないが,窒化シリコンの自己律速エッチングは,等濃度バイアスの不在や酸化物に対する非常に高い選択性といった原子層エッチングの利点を実用的エッチング応用に組み入れることを可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *層 ,  プラズマ ,  *表面改質 ,  選択性 ,  *プラズマエッチング
準シソーラス用語： フッ素プラズマ ,  原子層 ,  準原子層エッチング ,  水素プラズマ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 窒化シリコン ,  原子層エッチング