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J-GLOBAL ID：201702275386871483   整理番号：17A1354462

nチャネル16nm UTBOX素子の静特性および低周波雑音特性【Powered by NICT】

Static and low frequency noise characterization of n-channel 16 nm UTBOX devices

著者 (5件)： Nafaa B. (University of Carthage, INSAT, MMA, Tunis, Tunisia) ,  Ismail N. (University of Carthage, INSAT, MMA, Tunis, Tunisia) ,  Touayar O. (University of Carthage, INSAT, MMA, Tunis, Tunisia) ,  Cretu B. (Normandie University, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, Caen, France) ,  Simoen E. (Imec, Kapeldreef, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IDT  ページ： 14-18  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,静的特性と低周波雑音特性の項における線形動作におけるnチャネルUTBOX nMOSFETの適切な特性化を行った。まず,主要な電気パラメータを抽出し,特に,しきい値電圧,移動度とアクセス抵抗が存在する。,低周波雑音研究のアプローチは,Si膜中のトラップを同定するための非破壊診断ツールとして提示した。これらの研究は,デバイス性能を評価するために,処理ステップの品質の評価を可能にする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *低周波雑音 ,  故障診断 ,  線形性 ,  移動度 ,  *チャネル ,  品質 ,  *静特性 ,  キャラクタリゼーション ,  ケイ素
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Nチャネル ,  静特性 ,  低周波 ,  雑音特性