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J-GLOBAL ID：201702275456559376   整理番号：17A1640749

InPに対するCMOS互換接触【Powered by NICT】

CMOS-Compatible Contacts to n-InP

著者 (10件)： Ghegin Elodie (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  Rodriguez Philippe (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Pasquali Mattia (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Sagnes Isabelle (Center de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, University Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, Marcoussis, France) ,  Labar Janos L. (MTA EK MFA, Budapest, Hungary) ,  Delaye Vincent (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Card Tiphaine (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Da Fonseca Jeremy (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Jany Christophe (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Nemouchi Fabrice (University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4408-4414  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンフォトニクスの開発のコンテキストの中で,種々のTi及びNi基合金メタライゼーションは,n-InPへの低抵抗率とSi CMOS互換コンタクトを形成するのが目的のために調べられた。その場Ar~+前洗浄と組み合わせた革新的なNi_2Pメタライゼーションは半導体上の4.3×10~ 6 Ω~2低い比接触抵抗を持つOhm接触の形成に最も適した利用可能な解決策を意味している。後者は,さらに,少なくとも最大350°Cまで安定であるという利点を示し,従ってこの温度で実施された付加的な集積プロセスに耐えることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  チタン ,  *CMOS ,  ニッケル合金 ,  Ohm接触 ,  半導体 ,  *リン化インジウム ,  メタライゼーション
準シソーラス用語： 比接触抵抗 ,  シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： InP ,  CMOS