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J-GLOBAL ID：201702275514341703   整理番号：17A1093490

プラズマドーピングにより作製したほう素ドープSiナノワイヤの表面化学構造とドーピング特性【Powered by NICT】

Surface chemical structure and doping characteristics of boron-doped Si nanowires fabricated by plasma doping

著者 (13件)： Oh Seung-Hoon (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Ma Jin-Won (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Ma Jin-Won (Process Development Team, Semiconductor R&D Center, SAMSUNG, Hwaseong-si 18448, Republic of Korea) ,  Bae Jung Min (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kang Yu-seon (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kang Yu-seon (Process Development Team, Semiconductor R&D Center, SAMSUNG, Hwaseong-si 18448, Republic of Korea) ,  Ahn Jae-Pyung (Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Kang Hang-Kyu (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Chae Jimin (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Suh Dongchan (Process Development Team, Semiconductor R&D Center, SAMSUNG, Hwaseong-si 18448, Republic of Korea) ,  Song Woobin (Process Development Team, Semiconductor R&D Center, SAMSUNG, Hwaseong-si 18448, Republic of Korea) ,  Kim Sunjung (Process Development Team, Semiconductor R&D Center, SAMSUNG, Hwaseong-si 18448, Republic of Korea) ,  Cho Mann-Ho (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 419  ページ： 1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の急速熱アニーリング(RTA)時間後プラズマドープSiナノワイヤ(NW)の伝導特性を調べた。プラズマドーピング(PD)プロセスはNW表面での高蒸着B層を開発した。RTAプロセスは表面層からのドーパント拡散を仲介することにより電気伝導率を制御する。BプラズマドープSi NWsの表面化学と置換状態をX線光電子分光法(XPS)とRaman分光法によって分析した。NWの詳細な構造を解明するために,著者らは取り込まれたB原子に起因する光学フォノンモードの変化を解析した。この目的のために,Ramanスペクトルの非対称性,線幅,およびフォノン波数の研究によるFano共鳴を検討した。Ramanピーク,フォノン寿命と内部歪の対称性レベルの変化は電気的に活性化したほう素の数,RTA時間と共に劇的に増加した密接に関連した。NWのドーピング特性に関連した電気的および光学的特性の変化は,4点プローブおよびテラヘルツ時間領域分光法(THz TDS)を用いて調べた。NWの抵抗率はアニーリング過程前と比較してアニーリングプロセス,光学伝導率データと良く一致した後3000倍低かった。データは三次元ナノデバイスのための共形ドーピングにおけるPDの潜在的有用性を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *ケイ素 ,  焼なまし ,  Raman分光法 ,  RTA【熱処理】 ,  *ナノワイヤ ,  *ホウ素 ,  フォノン ,  電気伝導率 ,  *界面化学 ,  対称性 ,  Ramanスペクトル ,  *ドーピング ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： *プラズマドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： プラズマドーピング ,  Si北西 ,  導電率変化

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマドーピング ,  作製 ,  ほう素 ,  ドープ ,  Si ,  ナノワイヤ ,  表面化学 ,  ドーピング