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J-GLOBAL ID：201702275523553048   整理番号：17A0462200

変成Si/SiGe量子井戸の高分解能X線反射フーリエ解析

High-resolution x-ray reflection Fourier analysis of metamorphic Si/SiGe quantum wells

著者 (4件)： Richardson Christopher J. K. (Laboratory for Physical Sciences, University of Maryland, College Park, Maryland 20740) ,  Jackson Clayton A. (HRL Laboratories LLC, Malibu, California 90265) ,  Edge Lisa F. (HRL Laboratories LLC, Malibu, California 90265) ,  Deelman Peter W. (HRL Laboratories LLC, Malibu, California 90265)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 02B113-02B113-5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 傾斜バッファ変成エピタキシャルヘテロ構造は,バッファからの大きな信号の寄与のためX線回折を用いた分析が非常に困難である。その代わりに,X線反射率データにフーリエ信号処理を施して,膜厚および反射率強度を容易に導き出すことができる。この分析を,緩和したシリコンゲルマニウム障壁内に形成された2つの変成したシリコン量子井戸に適用した。X線反射率データの分析から直接に,量子井戸は8.5nmと8.7nmで,22.0nm厚さの障壁で隔てられていることが導かれる。これらの値は,透過型電子顕微鏡で得られる値と0.5nm以内で一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  *半導体薄膜 ,  バッファ層 ,  素子構造 ,  *X線反射 ,  *Fourier解析 ,  *表面改質 ,  ヘテロエピタクシー ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： ヘテロ構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 変成 ,  Si ,  SiGe ,  量子井戸 ,  高分解能 ,  X線反射 ,  フーリエ解析