文献

J-GLOBAL ID：201702275619529947   整理番号：17A1258612

高k半導体前駆体中の微量金属不純物のバッチ研究【Powered by NICT】

A batch study of trace metal impurities in high-k semiconductor precursors

著者 (3件)： Chowdhury Vijay (ChemTrace, Inc., Fremont, CA 94538 USA) ,  Islam Mohsina (ChemTrace, Inc., Fremont, CA 94538 USA) ,  Shi Liu (ChemTrace, Inc., Fremont, CA 94538 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIPRO  ページ： 68-71  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前駆体分子と呼ばれる先進電子材料は信頼性があり,汚染のないとことが期待されることを薄膜の蒸着用に設計されている。金属汚染の有害な効果はシリコン[1]上に成長させた熱酸化物の誘電特性で証明されている。超高純度生成物,微量金属(TM)と有機不純物から本質的に自由を達成するために,それらは完全に認定する必要がある。先行,TM分析は,検出,同定およびこれらの汚染物質の定量化を可能にするこれらの前駆体の品質管理,DRAM応用における貯蔵キャパシタ,MOSトランジスタのゲートスタックとして高k材料の原子層堆積のための優先的候補を作りを支援した。本論文では,前駆体,供給者の評価,資格と定期的モニタリングのための定量化が必要であることを中の微量金属濃度の固有の可変性を示した。が前駆体を得るために供給者にバッチと供給者からは種々の量で存在することを高レベルTM汚染物質の存在を明らかにするであろう。さらに,二つの異なる供給者からの同じ前駆体は全く異なるTM汚染物質を含む可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質管理 ,  薄膜 ,  *半導体 ,  誘電性 ,  *ロット ,  DRAM ,  *前駆体 ,  コンデンサ ,  *不純物 ,  汚染物質 ,  信頼性 ,  MOSFET
準シソーラス用語： 高誘電率材料 ,  ゲートスタック ,  *微量金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  吸着,イオン交換  (XD02060I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 前駆体 ,  金属不純物 ,  バッチ ,  研究