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J-GLOBAL ID：201702275661097030   整理番号：17A1916944

室温フェリ磁性の化学的調整とεFe_2O_3型マルチフェロイック酸化物薄膜における強誘電性【Powered by NICT】

Chemical tuning of room-temperature ferrimagnetism and ferroelectricity in ε-Fe₂O₃-type multiferroic oxide thin films

著者 (5件)： Katayama Tsukasa (Laboratory for Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan. [e-mail]) ,  Yasui Shintaro ,  Hamasaki Yosuke ,  Osakabe Takuya ,  Itoh Mitsuru
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 47  ページ： 12597-12601  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： εFe_2O_3型酸化鉄は有望な室温マルチフェロイック材料である。しかし,大きな漏れ電流に起因する大きい磁化と可逆的分極の共存を達成することは困難である。本研究では,著者らはA_0 2Ga_0 4Fe_1 4O_3(A=Al,Ga,Sc,In)の高結晶性の共ドープεFe_2O_3膜を作製し,磁気および強誘電特性に及ぼすドーピング効果を系統的に調べた。全ての膜は,純粋なε相であり,同時に室温で面内フェリ磁性と面外強誘電性を示した。εFe_2O_3膜とは異なり,膜はαまたはγ相のような二次相を含まない,ε相は四面体サイトでGaにより安定化されるからである。膜のCurie温度,飽和磁化,保磁力,磁気異方性はAのイオン半径が減少するに増強され,磁気要素(Fe~3+3d~5)の同じ含有量にもかかわらずである。これらの増強は八面体サイトでのFeイオンの量の増加から導いた。さらに,漏れ電流はScドーピングを有意に減少させ,室温で広い周波数範囲で明瞭な強誘電ヒステリシスループをもたらすことを見出した。本研究でドーパントの中で,Sc,Gaの共ドーピングは室温大きな磁化と可逆的分極低漏れ電流を有する高度に結晶化した膜を得るための最も有望な方法である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Curie温度 ,  第二相 ,  飽和磁化 ,  漏れ電流 ,  スカンジウム ,  *フェリ磁性 ,  ドーピング ,  磁気 ,  分極 ,  ガリウム ,  *強誘電性 ,  保磁力 ,  *鉄
準シソーラス用語： マルチフェロイック材料 ,  *酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  フェリ磁性 ,  化学 ,  マルチフェロイック ,  酸化物薄膜 ,  強誘電性