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J-GLOBAL ID:201702275821195906   整理番号:17A1350514

ウエハレベルとパネルレベルパッケージングのための10μmピッチマイクロバイアを用いた超微細線多層ルーティングのための革新的なエキシマレーザ二重ダマシンプロセス【Powered by NICT】

Innovative Excimer Laser Dual Damascene Process for Ultra-Fine Line Multi-layer Routing with 10 μm Pitch Micro-Vias for Wafer Level and Panel Level Packaging
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: ECTC  ページ: 872-877  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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ウエハレベルで高いルーティング密度の要求がマルチチップ集積ファンアウトパッケージと高I/O CSP(制約充足問題)により駆動される。新技術・材料である2μmまでの線と空間を生成する必要がある。多金属層は,埋め込まれた接触金型のためのパネルレベルパッケージング(PLP)に高い配線努力が必要である。これは再分布層に使用されている材料の機械的性質に及ぼす高い要求を置いている。SUSS MicroTecとの共同プロジェクトで開発されたBEOLのための超微細配線のための新しいエキシマレーザ可能デュアルダマシンプロセスを提示した。プロジェクトでは,各種材料例えば低温度は,ポリイミド,BCBとドライフィルムABF材料を硬化は高スループットで4μm以下のパターン特徴サイズにレチクルマスクを用いたエキシマレーザステッパを用いて構築した。5μm以下の直径を持つマイクロバイアを確立感光性薄膜ポリマのフォトリソグラフィーの分解能限界を超える4までのアスペクト比をもつアブレートした。レーザ構造化を最適化機械的および電気的パラメータを持つWLP/PLPsのための革新的な誘電体材料の使用を可能にし,ドライフィルムABF材料のような無機充填剤を含む例ポリマ。レーザパルス当たりのアブレーション深さを調べた。アブレーションラインとビアはガルバニックプロセスとCMP(化学的機械的研磨を適用することにより金属化した。ステップのようなシステムは再分布層における捕獲パッドの必要性を用いたサブミクロンアラインメント精度を可能にしなかった。試験多層構造は空気-空気熱サイクル( 55°Cから125°Cまで)により確認されたが,優れた信頼性を持つ緻密なアルゴリズムの有効性を実証するために,10μm以下の線と空間を設計し,作製した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 

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