文献

J-GLOBAL ID：201702275840067689   整理番号：17A1386356

CsPbI_3の電子輸送特性におよぼす静水圧歪の影響【Powered by NICT】

Effect of hydrostatic strain on the electronic transport properties of CsPbI₃

著者 (3件)： Berdiyorov G.R. (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar) ,  Carignano M.A. (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar) ,  Madjet M.E. (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 137  ページ： 314-317  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-CsPbI_3の電子輸送特性に及ぼす静水圧歪の影響を研究するためのバリスティックコンダクタンス計算を行った。株はシステム中の電子輸送に及ぼす顕著な効果を持つことを見出した。例えば,印加電圧バイアスの与えられた値のための電流は,引張ひずみの増加とともにほぼ直線的に減少した。一方,圧縮は電荷輸送を増加させ,材料のバンドギャップを減少させる。得られた結果は,系における電子密度の歪に誘起された空間的変動によって説明され,それは著者らの密度誘導静電および化学的部分電荷計算で明らかになった。得られた結果は,歪工学により鉛ハロゲン化物ペロブスカイトの光起電力性能を向上させるのに有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算 ,  鉛 ,  電流 ,  電子密度 ,  ハロゲン化物 ,  バイアス ,  光起電力 ,  *静水圧 ,  電荷 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  引張歪 ,  印加電圧 ,  *電子輸送 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： 鉛ハロゲン化物ペロブスカイト ,  電子輸送

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  輸送特性 ,  静水圧 ,  歪