レーザ熱アニーリングによる半導体デバイスのドーピング【Powered by NICT】

Huet Karim; Mazzamuto Fulvio; Tabata Toshiyuki; Toque-Tresonne Ines; Mori Yoshihiro

文献

J-GLOBAL ID：201702275848770341 整理番号：17A0475057

レーザ熱アニーリングによる半導体デバイスのドーピング【Powered by NICT】

Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0475057&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0475057&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1055A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 62 ページ： 92-102 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高度に競合的な現在の半導体産業では,技術開発のペースの加速のために,プロセス制約に取り組むための新規および破壊的解の統合は,最も挑戦的なが,材料特性を局所的には制御と拡張による局所歪工学への能力,ドーピングは素子性能問題を克服するために用いられる重要なプロセス変数の一つである必要がある。ナノスケールでの三次元(3D)デバイス及び構造の出現とともに,低熱収支に依存する新しいドーピング法を評価し,特にゲルマニウム(Ge)とフロントエンド論理におけるIII-V族半導体,記憶における欠陥制御した酸化物と相変化材料,またはパワーデバイス中での炭化けい素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)のような新材料導入の枠内でされている。局所衝撃を提供する浅い侵入深さを持つ超高速サブμsアニーリングスキーム,レーザ熱アニーリング(LTA)のような,現在評価されている最も有望なかつスケーラブルなアプローチのいくつかである。その生産価値は既に垂直シリコン(Si)とSiCパワーデバイスと相補型金属酸化物半導体(CMOS)イメージセンサのようないくつかの3D積層構造の大量生産のための記録のプロセスとして確立されている。ナノエレクトロメカニカルシステム(NEMS)と3D連続統合への論理からの広い範囲の応用をカバーする次世代技術を可能にするLTAの可能性を強調した最近の研究をレビューした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , ,
, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (10件)： , , , , , , , , ,

半導体薄膜 , 固体デバイス材料

, , ,

前のページに戻る