文献

J-GLOBAL ID：201702275915200641   整理番号：17A0989688

溶液法で作製した遷移金属ジカルコゲニドを用いたフレキシブル不揮発性トランジスタメモリ【Powered by NICT】

Flexible Nonvolatile Transistor Memory with Solution-Processed Transition Metal Dichalcogenides

著者 (6件)： Kim Richard Hahnkee (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, Republic of Korea) ,  Lee Jinseong (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, Republic of Korea) ,  Kim Kang Lib (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, Republic of Korea) ,  Cho Suk Man (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, Republic of Korea) ,  Kim Dong Ha (Department of Chemistry and Nano Science, Division of Molecular and Life Sciences, College of Natural Sciences, Ewha Womans University, 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul, 03760, Republic of Korea) ,  Park Cheolmin (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, Republic of Korea)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 20  ページ： ROMBUNNO.201603971  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)ナノシートを含む不揮発性電界効果トランジスタ(FET)メモリは最近,TMDの興味深い光電子的性質のいくつかを利用して大きな関心を開発した。TMDナノシートは,最もメモリの半導体チャンネルとして採用していたが,であり,殆どの仕事は,フローティングゲートとしての機能を検討した。,溶液処理したTMDナノシートのオールインワン浮遊gate/tunneling層を備えた浮動ゲート有機FETメモリを実証した。二硫化モリブデン(MoS_2)はオールインワン浮遊gate/tunneling層におけるMoS_2ナノシートの制御された量を使用したアミン末端ポリスチレンにより効率的に液相剥離し,MoS_2ナノシートの濃度依存性電荷トラッピングおよびデトラッピング特性の系統的研究を可能にした。最適化された条件では,不揮発性メモリは7×10~3sより長い10~4以上のオン/オフ比,400回以上のプログラム/消去耐久サイクル,及びデータ保持を用いたメモリ性能を示した。二セレン化モリブデンと二硫化タングステンを含むオールインワン浮遊gate/tunneling層も開発した。さらに,プラスチック基板上の機械的に柔軟なTMD記憶は硬い基板上のものと匹敵する性能を示し,記憶特性を4.0mmの曲げ半径で500回以上外曲げ事象後に変化はまれである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 浮遊 ,  FET【トランジスタ】 ,  濃度依存性 ,  チャネル ,  *非揮発性 ,  不揮発性メモリ ,  *記憶装置 ,  フローティングゲート ,  ナノシート ,  半導体 ,  最適化
準シソーラス用語： トラッピング ,  電荷捕獲 ,  二硫化モリブデン ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 浮遊gate/tunneling層 ,  フレキシブルメモリ ,  液体剥離 ,  不揮発性メモリ ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  作製 ,  遷移金属 ,  不揮発性 ,  トランジスタ