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J-GLOBAL ID：201702275928090826   整理番号：17A0915676

異なる成長温度でのマイグレーション・エンハンスト・エピタキシーを用いて成長させたInP/InGaP量子構造の発光特性

Luminescence Properties of InP/InGaP Quantum Structures Grown by Using a Migration-Enhanced Epitaxy at Different Growth Temperatures

著者 (3件)： CHO Il-Wook (Kangwon National Univ., Chuncheon, KOR) ,  RYU Mee-Yi (Kangwon National Univ., Chuncheon, KOR) ,  SONG Jin Dong (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 70  号： 8  ページ： 785-790  発行年： 2017年04月28日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *リン化インジウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  特性 ,  温度 ,  構造 ,  *ナノ構造 ,  *光ルミネセンス ,  バンドギャップ ,  温度依存性
準シソーラス用語： マイグレーション・エンハンスト・エピタキシー ,  InGaP ,  発光特性 ,  成長温度 ,  量子構造 ,  *半導体量子構造 ,  *時間分解光ルミネセンス ,  最適温度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長温度 ,  マイグレーション・エンハンスト・エピタキシー ,  成長 ,  InP ,  InGaP ,  量子構造 ,  発光特性