文献

J-GLOBAL ID：201702275956637951   整理番号：17A0205990

トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜における谷(111)表面状態の2次元量子輸送【Powered by NICT】

Two-dimensional quantum transport of multivalley (111) surface state in topological crystalline insulator SnTe thin films

著者 (5件)： Akiyama Ryota (Institute of Materials Science, University of Tsukuba) ,  Fujisawa Kazuki (Institute of Materials Science, University of Tsukuba) ,  Yamaguchi Tomonari (Institute of Materials Science, University of Tsukuba) ,  Ishikawa Ryo (Institute of Materials Science, University of Tsukuba) ,  Kuroda Shinji (Institute of Materials Science, University of Tsukuba)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 2  ページ： 490-498  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnTeの(111)配向単結晶薄膜の磁気輸送特性を調べた。エピタキシャル分子ビームエピタクシーによるBaF2基板上に成長させたSnTe(111)薄膜。成長条件と膜の厚さを最適化することにより,バルクキャリア密度が減少し,それは表面輸送を検出することが可能になる。磁気コンダクタンス(MC)測定は,零磁場,トポロジカル表面状態における輸送の弱反局在効果に起因する周辺のカスプに似た特徴を示した。この負のMCの詳細な解析は,トポロジカル結晶絶縁体の多谷構造における輸送の特徴として,SnTe(111)表面上のDirac谷の間の強い結合を示唆し,表面輸送に寄与する輸送チャンネルの数の減少を明らかにした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MBE成長 ,  *絶縁材料 ,  単結晶 ,  カスプ磁場 ,  *薄膜 ,  最適化 ,  *二次元 ,  *結晶 ,  ばら積貨物船 ,  *絶縁体 ,  トポロジカル表面状態 ,  磁気輸送 ,  *量子輸送 ,  改変
準シソーラス用語： 反局在 ,  磁気コンダクタンス ,  成長条件 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnTe(111)膜 ,  トポロジカル結晶絶縁体 ,  弱い反局在 ,  位相コヒーレンス長 ,  Dirac谷

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： トポロジカル結晶絶縁体 ,  SnTe ,  薄膜 ,  谷 ,  2次元 ,  量子輸送