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J-GLOBAL ID：201702276058846826   整理番号：17A1555377

ガラスバイアによる高アスペクト比のための統合プロセス【Powered by NICT】

Integrated process for high aspect ratio through glass vias

著者 (5件)： Xue Kai (Wuxi Gmax Microelectronics Co., Ltd, 214000, China) ,  Jiang Feng (Wuxi Gmax Microelectronics Co., Ltd, 214000, China) ,  Wu Heng (Wuxi Gmax Microelectronics Co., Ltd, 214000, China) ,  Zhou Xiufeng (Fifty-eighth Institute of CETC, Wuxi, 214000, China) ,  Ming Xuefei (Fifty-eighth Institute of CETC, Wuxi, 214000, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 1451-1454  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノ(IOT)応用の高性能計算,第五世代(5G)通信,インターネットにおける帯域幅の要求が増加して,2.5Dと3Dインターポーザへの移行を駆動される垂直相互接続の高周波損失と正孔深さ/次元のより高い比率を必要とした。シリコン貫通ビア(TSV)はいくつかのハイエンド製品中の3D-ICにおけるチップを垂直に積み重ねることによるチップ間の距離を最小化するために利用されてきた。高データ伝送,広い帯域幅,より小さなフットプリント,と低消費電力を達成できることが証明されている。TSV技術は高い製造複雑性とその許容コストのような多くの課題を有している。ガラスはその絶縁特性のために理想的なインターポーザ材料であり,大型パネルアベイラビリティと熱膨張係数(CTE)はシリコンに一致した。ガラスビア(TGV)作製を通して重要なモジュールTGVインターポーザプロセス統合することである。本論文では,プロセス,TGVエッチングを含むシード層と銅めっきを詳細に提示した。上記の側面の注意深い考察と最適化により,30μm幅150μm深さのTGVを作製することに成功した。TGV製作のために,感光性ガラスを用いて,ビアの領域を作成し,湿式エッチング処理した30μm孔寸法と150μm深さ約ブラインドバイアを得ることであった。Ti/Cuの高アスペクト比スパッタリング後,銅ホイールを試験し,ボイドはX線画像により検証されなかった。ガラスインターポーザの統合能力を試験するために,いくつかのインダクタは,ガラスウエハ上に作製し,全プロセス後にその性能をQ因子が45より大きい試験した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱膨張係数 ,  銅 ,  相互接続 ,  ビール ,  ケイ素 ,  帯域幅 ,  HF【周波数】 ,  ウェットエッチング ,  三次元 ,  Q値 ,  最適化 ,  *ガラス
準シソーラス用語： シリコン貫通ビア ,  インターポーザ ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高アスペクト比 ,  統合 ,  プロセス