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J-GLOBAL ID：201702276076656239   整理番号：17A0822263

低温でのAu/In₂S₃/SnO₂/(In-Ga)構造における障壁高さ不均質性の説明/

Interpretation of barrier height inhomogeneities in Au/In₂S₃/SnO₂/(In-Ga) structures at low temperatures

著者 (5件)： TECIMER H. (Karabuek Univ., Karabuek, TUR) ,  ALTINDAL S. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  AKSU S. (Solo Power, Inc., CA, USA) ,  ATASOY Y. (Karadeniz Technical Univ., Trabzon, TUR) ,  BACAKSIZ E. (Karadeniz Technical Univ., Trabzon, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 10  ページ： 7501-7508  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/In₂S₃/SnO₂/(In-Ga)構造の順および逆バイアスI-V-T特性を25Kステップで125~300Kの温度範囲で調べた。理想因子nと障壁高さ平均値Φ_B0は温度変化に強く影響される。温度の125から300Kへの増加でnは8.05から4.55に減少し,Φ_B0は0.29から0.66eVに増加する。Φ_B0の正温度係数(α=2.1×10³eV/K)はIn₂S₃バンドギャップの負係数とは一致していない。Φ_B0対q/2kTを描いて障壁高さ(BH)のガウス分布(GD)の証拠を求め,このプロットからΦ_B0=0.88eVと標準偏差σ₀=0.116Vを得た。Au/In₂S₃/SnO₂/(In-Ga)構造のI-V-Tデータは障壁高さのガウス分布による熱イオン放出(TE)理論で説明可能である。

シソーラス用語： 金 ,  インジウム化合物 ,  硫化物 ,  酸化スズ ,  ガリウム ,  高さ ,  *不均一性 ,  電流電圧特性 ,  特性 ,  因子 ,  *正規分布 ,  イオン放出 ,  透過率 ,  界面
準シソーラス用語： Gauss分布 ,  温度特性 ,  金属-半導体界面 ,  *障壁高さ ,  熱イオン放出 ,  不均質性 ,  理想因子 ,  *硫化インジウム

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  Au ,  障壁高さ ,  不均質性 ,  説明