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J-GLOBAL ID：201702276148061968   整理番号：17A1358405

130nm SiGe BiCMOS技術における低電力及び低雑音プログラマブル分周器【Powered by NICT】

Low-power and low-noise programmable frequency dividers in a 130 nm SiGe BiCMOS technology

著者 (5件)： Ergintav Arzu (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Herzel Frank (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Borngraeber Johannes (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Ng Herman Jalli (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Kissinger Dietmar (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NEWCAS  ページ： 105-108  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分数N周波数シンセサイザのための二プログラマブル分周器を提示した。入力周波数範囲は両回路の10GHzから1GHzであり,130nm SiGe BiCMOS技術で製造した。第一分周器(divider1)は32~127の範囲の因子値を持ち,2.2Vと4Vの単一電源電圧VCCで動作し,二分の1(divider2)のための除数値の範囲は32~63であり,供給電圧動作範囲は3.0Vおよび3.6Vの間であった。divider1とdivider2は3V電源から2.5V供給と26mAから100mAを引き出した。分周器の位相雑音寄与10GHz PLLの出力と呼ばれている1MHzオフセットで 10kHzオフセットと 116.5dBc/Hzで 108dBc/Hzよりも低かった。これは従来のCMOS位相-周波数検出器を用いた低雑音分数-N位相同期ループに適した分周器を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *分周器 ,  位相同期ループ ,  *CMOS ,  位相 ,  周波数シンセサイザ ,  位相雑音 ,  検出器 ,  周波数 ,  オフセット
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  電源電圧 ,  *低雑音 ,  *低電力化 ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 周波数変換回路  (NC05030J) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  BiCMOS ,  低電力 ,  低雑音 ,  分周器