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J-GLOBAL ID：201702276158475654   整理番号：17A1181760

2T構造を持つpチャネルフローティングゲートフラッシュメモリ装置の耐久性劣化と寿命モデル【Powered by NICT】

Endurance degradation and lifetime model of p-channel floating gate flash memory device with 2T structure

著者 (7件)： Wei Jiaxing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China) ,  Liu Xiaoqiang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China) ,  Liu Yuwei (CSMC Technologies Corporation, 214028 Wuxi, Jiangsu, China) ,  Liu Xiaohong (CSMC Technologies Corporation, 214028 Wuxi, Jiangsu, China) ,  Hou Bo (Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory, 510610 Guangzhou, Guangdong, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 134  ページ： 58-64  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二トランジスタ(2T)構造を持つpチャネルフローティングゲートフラッシュメモリデバイスの耐久性劣化機構を本研究で詳細に調べた。電荷ポンピング(CP)測定とSentaurus TCADシミュレーションの助けを借りて,バンド間(BTB)トンネルプログラミングによるトンネル酸化物界面に沿って流れるドレイン重なり領域における損傷とFowler-Nordheim(FN)トンネル消去から生じたチャネル領域における損傷は,それぞれ検証した。,耐久性特性の寿命モデルを抽出し,それは耐久性劣化傾向を外挿するとデバイスの寿命を予測することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *耐久性 ,  シミュレーション ,  *チャネル ,  トランジスタ ,  外挿法 ,  酸化物
準シソーラス用語： TCAD ,  チャージポンプ回路 ,  劣化機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： pチャネルフラッシュメモリ ,  浮遊ゲート ,  耐久性劣化 ,  寿命モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  フローティングゲート ,  フラッシュメモリ装置 ,  寿命 ,  モデル