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J-GLOBAL ID：201702276220142493   整理番号：17A1501541

非化学量論的SiNx:H薄膜における高速重イオン照射によるSiリッチ窒化相の安定化【Powered by NICT】

Stabilization of Si rich nitride phase by swift heavy ion irradiation in non-stoichiometric a-SiNx:H thin films

著者 (4件)： Gupta Harsh (Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, 110016, India) ,  Bommali Ravi. K. (Institute of Physics, Bhubneshwar 751005, India) ,  Ghosh S (Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, 110016, India) ,  Srivastava P (Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, 110016, India)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 410  ページ： 164-170  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非化学量論的水素化非晶質窒化けい素膜(a SiNx:H)に対する高速重イオン照射の影響,光化学蒸着によりSi基板上に成長させたを報告した。照射によるSiリッチ相の安定化が原因で膜の屈折率の有意な増加が観察され,これはUV-Vis分光法によって支持された。さらに,X線光電子分光法(XPS)は,膜の表面での改良されたSiリッチSiNx相を示した。Fourier変換赤外分光法は薄膜中のSi-Nの結合密度を示唆している。Si-Hの結合密度は照射により減少するとこれはイオン照射による水素の外方拡散に起因した。非有界過剰SiとNは,Si-SiまたはSi-N結合配置を形成し,顕著なSiリッチ窒化けい素相の結果としてSiリッチ窒化物相の相分離と安定化をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  X線光電子スペクトル ,  X線光電子分光法 ,  *窒化 ,  光CVD ,  *非化学量論 ,  *イオン照射 ,  水素化 ,  *薄膜 ,  水素 ,  非晶質 ,  相分離 ,  屈折率
準シソーラス用語： 外方拡散 ,  シリコンウエハ ,  *高速重イオン照射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコンリッチ窒化けい素 ,  高速重イオン照射 ,  X線光電子分光法 ,  Fourier変換赤外分光法

分類 (2件)： 放射線高分子化学  (CG03050S) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  高速重イオン照射 ,  Si ,  窒化 ,  安定化