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J-GLOBAL ID：201702276229913269   整理番号：17A1810665

高純度半絶縁性基板へのイオン注入により形成されたn型およびp型4H-SiCの電気特性

Electrical properties of n- and p-type 4H-SiC formed by ion implantation into high-purity semi-insulating substrates

著者 (3件)： FUJIHARA Hiroaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 7  ページ： 070306.1-070306.4  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピング濃度が10¹⁷から10¹⁹cm^-3の範囲にあるn型層またはp型層をそれぞれ形成するために,リンまたはアルミニウムイオンをエピタキシャル層のない半絶縁性4H-SiC基板に直接注入した。1650°Cでアニールされたこれらの注入層の電気的特性は,160-900Kの温度範囲におけるホール効果測定によって特徴付けられた。注入されたドーパントの電気的活性化率は,88-98%であった。補償欠陥の密度は,Al⁺注入層の方がP⁺注入層よりも高かった。注入された層の移動度は,調査されたドーピング範囲内のエピタキシャル層の移動度とほぼ同等であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *電気特性 ,  *ドーピング ,  *Hall効果 ,  活性化 ,  移動度
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (34件)：

• M. Bhatnagar and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices 40, 645 (1993).
• J. A. Cooper, Jr. and A. Agarwal, Proc. IEEE 90, 956 (2002).
• H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• R. F. Davis, G. Kelner, M. Shur, J. W. Palmour, and J. A. Edmond, Proc. IEEE 79, 677 (1991).

タイトルに関連する用語 (5件)： 高純度 ,  半絶縁性基板 ,  イオン注入 ,  4H-SiC ,  電気特性