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J-GLOBAL ID：201702276355882877   整理番号：17A1350966

部分放電検出を用いた球状空洞を含むシリコーン絶縁の劣化機構の解析【Powered by NICT】

Analysis of degradation mechanisms of silicone insulation containing a spherical cavity using partial discharge detection

著者 (3件)： Tanmaneeprasert T. (School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom) ,  Lewin P.L. (School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom) ,  Callender G. (School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EIC  ページ： 233-236  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子試料中に埋込まれた気体充填空洞の完全な破壊までの表面浸食の研究は部分放電(PD)挙動の時間発展を明らかにした。電気的エージング試験の間,位相分解部分放電(PRPD)パターンの分析は四段階:表面侵食,樹木成長,破壊前の表面放電と完全な破壊に区別することができた。PDモデルは,亀状形状,翼状形状,ウサギのような形状と群小微小放電(SPMD)機構[1]の測定PRPD形状とPD統計量の変化に適合させることができることが分かった。空洞表面の形態学的変化は破壊機構を決定するために検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相 ,  高分子 ,  *部分放電 ,  統計量 ,  沿面放電 ,  モルフォロジー ,  時間発展 ,  *放電
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  *劣化機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 部分放電 ,  球状 ,  空洞 ,  シリコーン絶縁 ,  解析