Pahwa Girish について
Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India について
Dutta Tapas について
Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India について
Agarwal Amit について
Department of Physics, IIT Kanpur, Kanpur, India について
Khandelwal Sourabh について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Salahuddin Sayeef について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Hu Chenming について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Chauhan Yogesh Singh について
Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India について
IEEE Transactions on Electron Devices について
固体素子モデル について
モデリング について
強誘電体 について
静電容量 について
FET【トランジスタ】 について
負電荷 について
負性抵抗 について
回路設計 について
定量的分析 について
ハードウェア記述言語 について
負荷曲線 について
ゲート絶縁膜 について
ゲート【半導体】 について
膜厚 について
性能指数 について
温度依存性 について
MOSFET について
負性静電容量 について
NCFET について
負性微分抵抗 について
Verilog-A について
ゲート酸化膜 について
サブ閾値スイング について
トランジスタ について
微分抵抗 について
キャパシタンス について
トランジスター について
解析 について
モデリング について
モデル について
説明 について