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J-GLOBAL ID：201702276478171108   整理番号：17A0055474

n-InP上に成長させたInGaAs/AlInAsヘテロ構造のDLTFS研究S基質【Powered by NICT】

DLTFS study of InGaAs/AlInAs heterostructures grown on n-InP:S substrates

著者 (8件)： Kosa A. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology in Bratislava, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Stuchlikova L. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology in Bratislava, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Harmatha L. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology in Bratislava, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Kovac J. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology in Bratislava, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Badura M. (Wrocl/aw University of Science and Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocl/aw, Poland) ,  Bielak K. (Wrocl/aw University of Science and Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocl/aw, Poland) ,  Sciana B. (Wrocl/aw University of Science and Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocl/aw, Poland) ,  Tlaczala M. (Wrocl/aw University of Science and Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocl/aw, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 149-152  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この報文では,著者らは,同じ成長条件で低圧有機金属気相エピタクシーによるn-InP:S基板上に成長させた三五×UD In_0In0.53Ga_0Ga0.47As/Al_0.42In_0 0.58としてMQW構造であるが異なる成長速度で電気的に活性な欠陥の研究の最初の結果を提示した。欠陥分布は各試料で異なっていた。その薄いより有意な少数キャリア応答は測定した量子井戸層である。九深いエネルギー準位のパラメータは,深準位過渡Fourier分光法により同定した。三T3(0.38 eV),T5(0.17 eV)及びT7(0.32 eV)は検討したすべての構造で同定された。レベルT1(0.19 eV)およびT5(0.17 eV)は量子井戸からのキャリア放出の結果高い確率であることを仮定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  *基質 ,  成長速度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  深い準位 ,  少数キャリア ,  Fourier分光法 ,  低圧 ,  量子井戸 ,  MOCVD ,  *リン化インジウム
準シソーラス用語： キャリア放出 ,  成長条件 ,  *ヘテロ構造 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  成長 ,  InGaAs ,  AlInAs ,  ヘテロ構造 ,  研究 ,  基質