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J-GLOBAL ID：201702276478723271   整理番号：17A0547455

多並列接続Cu-MoO_x-Al抵抗変化型メモリのアナログメモリ動作

著者 (7件)： 原田將敬 (九州工大) ,  安藤秀幸 (九州工大) ,  森江隆 (九州工大) ,  勝村玲音 (北大 大学院) ,  福地厚 (北大 大学院) ,  有田正志 (北大 大学院) ,  高橋庸夫 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-419-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *並列接続 ,  *酸化モリブデン ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  *記憶装置 ,  MOSFET ,  RFスパッタリング ,  記憶素子 ,  減少 ,  *酸化物薄膜 ,  *アナログメモリ ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *抵抗変化型メモリ ,  メモリ素子 ,  ばらつき低減

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 並列接続 ,  Cu ,  Al ,  抵抗変化型メモリ ,  アナログメモリ