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J-GLOBAL ID：201702276562586448   整理番号：17A1391409

6インチシリコンオンインシュレータ基板上のin situ SiN_xゲート誘電体AlGaN/GaN MISHEMTのRF性能【Powered by NICT】

RF Performance of In Situ SiN_x Gate Dielectric AlGaN/GaN MISHEMT on 6-in Silicon-on-Insulator Substrate

著者 (7件)： Chiu Hsien-Chin (Department of Electronic Engineering, Department of Radiation Oncology, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Wang Hou-Yu (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Peng Li-Yi (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Wang Hsiang-Chun (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Kao Hsuan-Ling (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Hu Chih-Wei (Episil-Precision Inc., Hsinchu, Taiwan) ,  Xuan Rong (Episil-Precision Inc., Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4065-4070  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： in situ SiN_x絶縁体設計を用いた高電力付加効率と低い動的オン抵抗(R_ON)AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MISHEMT)は150mmシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上で実証した。従来の高抵抗率Si基板と比較して,SOI5μm厚Si活性層上に成長させたSiN_x/AlGaN/GaN MISHEMTは優れた引張応力緩和と表面平坦性を行った。Hall測定結果に基づいて,SOI基板上の電子移動度とシート電荷密度もパルス測定と低周波雑音測定により証明される低い欠陥密度のために同時に改善された。低フィードバック基板静電容量のために,帯域幅,及び線形性もSOI基板設計により同時に改善された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  静電容量 ,  *HEMT ,  低周波雑音 ,  電力付加効率 ,  電気抵抗率 ,  *ゲート絶縁膜 ,  欠陥密度 ,  オン抵抗 ,  線形性 ,  平坦性 ,  活性層
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  SOI基板 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンオンインシュレータ ,  ゲート誘電体 ,  AlGaN ,  GaN ,  RF