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J-GLOBAL ID：201702276652728918   整理番号：17A0400933

薄膜太陽電池における電流誘起と光誘起巨視的変化:デバイス劣化機構【Powered by NICT】

Current-induced and light-induced macroscopic changes in thin film solar cells: Device degradation mechanism

著者 (5件)： Kim Ka-Hyun (KIER-UNIST Advanced Center for Energy, Korea Institute of Energy Research, 44919 Ulsan, South Korea) ,  Kim Ka-Hyun (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite Paris-Saclay, 91128 Palaiseau, France) ,  Kim Ka-Hyun (TOTAL New Energies, 92069 Paris, France) ,  Johnson Erik V. (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite Paris-Saclay, 91128 Palaiseau, France) ,  Roca i Cabarrocas Pere (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite Paris-Saclay, 91128 Palaiseau, France)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 143  ページ： 86-92  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ソーキングにPIN太陽電池水素化多形シリコン(pm Si:H)中の大きな空孔欠陥の形成について報告する。を光学顕微鏡を用いて同じ素子の電流誘起分解中のその場,巨視的気泡の形成と正孔を監視できた。300mA/cm~2の電流注入をもたらす,前方バイアスは水素化非晶質シリコン(a Si:H)に適用し,光学画像のpm-Si:H PIN太陽電池と一連の電流注入の種々の段階で同じ現場で採取した。電流注入中に,pm-Si:H PIN太陽電池は顕著なトポロジー変化,a-Si:H PIN太陽電池で検出できなかったを経験する。これらの効果は,SEM,A FMと分光偏光解析法のような相補的ex situ技術によって特性化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学画像 ,  ケイ素 ,  *電流発生 ,  バイアス ,  *太陽電池 ,  気泡 ,  アモルファスシリコン ,  水素化 ,  キャラクタリゼーション ,  正孔
準シソーラス用語： 分光偏光解析法 ,  電流注入 ,  *劣化機構 ,  *光誘起 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 水素 ,  PVにおける欠陥の特性評価 ,  光誘起劣化 ,  シリコンナノ結晶

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜太陽電池 ,  電流誘起 ,  光誘起