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J-GLOBAL ID：201702276704154000   整理番号：17A0937471

GaAs単結晶における欠陥誘起巨大誘電挙動【Powered by NICT】

Point-defect-induced colossal dielectric behavior in GaAs single crystals

著者 (10件)： Zhu M. (Laboratory of Dielectric Functional Materials, School of Physics & Material Science, Anhui University, Hefei 230601, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang N. ,  Wang H. ,  Li Y. D. ,  Huang S. G. ,  Li Q. J. ,  Yu Y. ,  Guo Y. M. ,  Liu X. L. ,  Wang C. C.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 42  ページ： 26130-26135  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs単結晶における巨大誘電率(CDC)挙動を報告した。この挙動は,室温以上の温度範囲で現れ,EL2欠陥のホッピング運動に起因するポーラロン緩和のためにバルク効果の結果である。温度が420K以上に温度が上昇したとき,試料/電極接触に起因するMaxwell-Wagner緩和に起因して界面寄与が現れた。温度が560Kより高いとき,CDC挙動は主に界面効果が寄与している。これらの特徴は酸化物に見られるCDC挙動とは全く異なっており,従って,GaAs単結晶におけるCDC挙動はCDCファミリーの新しい型と考えられている。著者らの結果は,CDC挙動における点欠陥の役割を強調し,欠陥工学は,両方の酸化物と非酸化物材料の優れたCDC挙動を達成するための有望な戦略であることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 緩和現象 ,  点欠陥 ,  *ヒ化ガリウム ,  ホッピング伝導 ,  界面 ,  *単結晶 ,  ポーラロン ,  酸化物
準シソーラス用語： Maxwell-Wagner効果 ,  温度範囲 ,  巨大誘電率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs単結晶 ,  欠陥 ,  誘起 ,  挙動