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J-GLOBAL ID：201702276778123235   整理番号：17A0958358

プラズマ環境内でのCNT成長とエッチングのナノスケール機構

Nanoscale mechanisms of CNT growth and etching in plasma environment

著者 (7件)： KHALILOV Umedjon (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  BOGAERTS Annemie (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  HUSSAIN Shahzad (Univ. d’Orleans, Orleans, FRA) ,  KOVACEVIC Eva (Univ. d’Orleans, Orleans, FRA) ,  BRAULT Pascal (Univ. d’Orleans, Orleans, FRA) ,  BOULMER-LEBORGNE Chantal (Univ. d’Orleans, Orleans, FRA) ,  NEYTS Erik C (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 18  ページ： 184001,1-9  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)のキラリティの制御は,CNTの応用においてさらなるステップアップを約束する重要な技術である。このキラリティ制御に関して,精密な制御は行えないものの,いくつかの進展が行われている。数あるCNTの成長技術のなかでも,プラズマ支援化学蒸着(PECVD)はいくつかの利点を持っている。本研究では,数値計算により,Niナノクラスタのプラズマ化学蒸着,Niを触媒とするCNT成長とそれに続くエッチング過程を調べ,ナノスケールで成長機構を明らかにした。その結果,Ni薄膜の成長とナノクラスタの形成において,水素が重要な役割を演じていることがわかった。得られた結果を,報告されている理論的,実験的研究結果と比較し論じた。

シソーラス用語： *プラズマ ,  *エッチング ,  規模 ,  *カーボンナノチューブ ,  *性質 ,  プラズマCVD ,  数値計算 ,  ナノクラスタ ,  金属触媒 ,  金属クラスタ ,  触媒 ,  計算機シミュレーション ,  電子顕微鏡 ,  炭化水素
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *キラリティ ,  プラズマ支援化学蒸着 ,  ナノ触媒 ,  水素プラズマ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  環境 ,  CNT ,  成長 ,  エッチング ,  ナノスケール