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J-GLOBAL ID：201702276815800664   整理番号：17A1836399

周波数解析とリングダウン法を用いた3C-SiCダイヤフラムの共振挙動と品質因子の特性化【Powered by NICT】

Characterizing the resonant behavior and quality factors of 3C-SiC diaphragms using frequency analysis and the ring-down technique

著者 (4件)： Sui Yongkun (Dept. of Electrical Engineering & Computer Science, (EECS) Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106 USA) ,  Chong Hao (Dept. of EECS, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106 USA) ,  Shara Kailey (Dept. of EECS, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106 USA) ,  Zorman Christian A. (Dept. of EECS, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 811-815  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高アスペクト比,NEMSスケール3C-SiCダイヤフラムの共振挙動を特性化する研究の結果を報告する。ダイヤフラムは,APCVDにより成長させ,Siバルクマイクロマシニングによって作成した単結晶3C-SiC膜から成っていた。ダイヤフラムは,真空中で共鳴に励起し,光干渉法を用いて評価した。40以上の共鳴ピークは2.5MHzまでの周波数に対して250nm厚,1×1mm~2横隔膜で観察された。周波数対帯域幅比法とリングダウン技術を用いて,いくつかの顕著なピークの品質因子を評価した。基本モードは~3000の品質因子を示したが,他の全てのモードは>10,000のQを持っていて,最高の(2, 3)モードに対する~190,000であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *周波数 ,  *ダイヤフラム ,  *共振 ,  *キャラクタリゼーション ,  *ケイ素 ,  基準モード ,  光干渉法 ,  単結晶 ,  *周波数解析 ,  帯域幅
準シソーラス用語： APCVD ,  NEMS ,  高アスペクト比 ,  *品質因子 ,  *3C-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 生体計測  (EL03020C) ,  非破壊試験  (HB02030F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 周波数解析 ,  3C-SiC ,  ダイヤフラム ,  共振 ,  挙動 ,  品質因子 ,  特性化