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J-GLOBAL ID：201702276830159286   整理番号：17A1020056

表面形態とm面(101 0)GaNホモエピタキシャル層の電気的性質に及ぼすV/III比の影響【Powered by NICT】

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane ( 10 1 0 ) GaN homoepitaxial layers

著者 (11件)： Barry Ousmane I (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Tanaka Atsushi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Nagamatsu Kentaro (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Bae Si-Young (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Lekhal Kaddour (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Matsushita Junya (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Deki Manato (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Nitta Shugo (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 552-556  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： m面(101 0)窒化ガリウム(GaN)ホモエピタキシャル層の表面形態,不純物濃度と電気特性に及ぼすV/III比の影響を調べた。四面の角錐形ヒロックは公称軸上m面GaN膜で観察された。ヒロックはV/III比を増加させることにより比較的増加を評価。ピラミッド状ヒロックの全てのファセットをはっきりしたステップ-テラス特徴を示した。二次イオン質量分析深さプロフィルは最低の酸素含有量は,最適化V/III比が900で,一方炭素不純物はV/III比の増加により減少することを明らかにした。m-GaN試料上に作製した縦型Schottky障壁ダイオードを特性化した。 5Vで10~ 10cm~2のための低漏れ電流密度は,最適なV/III比で得られた。ヒロックの周囲の酸素不純物と螺旋成分転位は漏れ電流機構に有害な影響を持つことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気的性質 ,  *形態 ,  角錐 ,  窒化ガリウム ,  MOCVD ,  不純物 ,  *HOMO ,  酸素 ,  Schottky障壁ダイオード ,  ファセット ,  漏れ電流 ,  電気特性 ,  *エピタキシャル層 ,  *表面形態
準シソーラス用語： ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1形態 ,  A1不純物 ,  A3有機金属気相エピタクシー ,  B2m面窒化ガリウム ,  B3垂直Schottky障壁ダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面形態 ,  GaN ,  ホモ ,  エピタキシャル層 ,  電気的性質