Borland John について
J.O.B. Technologies, 98-1204 Kuawa St, Aiea, Hawaii, 96701, USA について
Lee Yao-Jen について
National Nano Device Labs, Hsinchu, Taiwan について
Chuang Shang-Shiun について
Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan について
Tseng Tseung-Yuen について
Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan について
Liu Chee-Wee について
National Nano Device Labs, Hsinchu, Taiwan について
Huet Karim について
LASSE, Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd, 14-38 rue Alexandre, 92230 Gennevilliers, France について
Goodman Gary について
EAG Laboratories, 104 Windsor Center Dr., East Windsor, NJ, 08520, USA について
Marino John について
EAG Laboratories, 104 Windsor Center Dr., East Windsor, NJ, 08520, USA について
IEEE Conference Proceedings について
焼なまし について
固溶度 について
キャリア密度 について
接触抵抗 について
超LSI について
合金 について
ゲルマニウム について
非晶質 について
レーザアニーリング について
レーザ融解 について
ドーパント について
界面 について
シリコンゲルマニウム について
寄生抵抗 について
FinFET について
トランジスタ について
ノード について
接触抵抗 について
標的 について
Ge について
III族 について
ドーパント について
固体溶解度 について
活性化 について