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J-GLOBAL ID：201702276841899939   整理番号：17A1258282

7nm未満ノード低p+接触抵抗を標的としたGeにおけるIII族ドーパント(B, Ga&In)の固体溶解度限定されたドーパントの活性化【Powered by NICT】

Solid solubility limited dopant activation of group III dopants (B, Ga & In) in Ge targeting sub-7nm node low p+ contact resistance

著者 (8件)： Borland John (J.O.B. Technologies, 98-1204 Kuawa St, Aiea, Hawaii, 96701, USA) ,  Lee Yao-Jen (National Nano Device Labs, Hsinchu, Taiwan) ,  Chuang Shang-Shiun (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Tseng Tseung-Yuen (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Liu Chee-Wee (National Nano Device Labs, Hsinchu, Taiwan) ,  Huet Karim (LASSE, Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd, 14-38 rue Alexandre, 92230 Gennevilliers, France) ,  Goodman Gary (EAG Laboratories, 104 Windsor Center Dr., East Windsor, NJ, 08520, USA) ,  Marino John (EAG Laboratories, 104 Windsor Center Dr., East Windsor, NJ, 08520, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IWJT  ページ： 94-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低接触抵抗(Rc)が10nm以下のノードのためのデバイス性能を高めるために重要である。VLSI技術シンポジウム2016Samsung報告ではRcを10%減少させた14nmから10nmへのバルクFinFET技術[1]。10nmを超えるノードFinFET論文でTSMCはS/D(ソース/ドレイン)寄生抵抗と増強された接触過程[2]を減少させる報告IEDM2016で7nm FinFET減少S/D寄生抵抗を報告し,新しい接触プロセス[3]を開発した。完全なセッション#7VLSI技術シンポジウム2016[4 7]で4件と「サブ10nmスケーリングのための接触抵抗技術革新」に専念した。低E-9Ωcm~2におけるRcを達成するために低E21/cm~3活性ドーパントキャリア濃度>5E20/cm~3が必要である。SiP n+S/D接触においてはP>1E21/cm~3活性ドーパントキャリア濃度を,レーザ溶融アニーリングRc<1E9Ωcm~2[6]を実現した。70%-SiGe p+S/D接触においてはIMECは1.2E,8Ωcm~2から2.1e9Ωcm~2[4]へのRcを減少させるnsレーザ融解アニーリングによるB注入活性化を高めるために前後Ge非晶質インプラントを用いて報告した。一方IBM/GFは薄い12nm100%-Geトレンチエピを用い,p+Ge:Bからp+Ge:B表面界面ドーピング[8]のIII族準安定合金に1.3e8Ωcm~2から1.9e9Ωcm~2へのSiGe p+S/D Rcを減少させることを報告した。B~8E20/cm~3~1E19/cm~3からGeブーストp+ドーパント活性化中のIII族Me合金Ge+Me合金であった。ミリ秒非溶融とns溶融レーザアニーリングの間の差を言及しなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *固溶度 ,  キャリア密度 ,  *接触抵抗 ,  超LSI ,  合金 ,  *ゲルマニウム ,  非晶質 ,  レーザアニーリング ,  レーザ融解 ,  *ドーパント ,  界面
準シソーラス用語： シリコンゲルマニウム ,  寄生抵抗 ,  FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ノード ,  接触抵抗 ,  標的 ,  Ge ,  III族 ,  ドーパント ,  固体溶解度 ,  活性化