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J-GLOBAL ID：201702276918855732   整理番号：17A0090021

180nm CMOSプロセスを用いたテラヘルツ検出器の設計と評価

Design and fabrication of terahertz detectors based on 180 nm CMOS process technology

著者 (7件)： 脇田幸典 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  池辺将之 (北大) ,  ARNOLD Stevanus (東北大 電通研) ,  尾辻泰一 (東北大 電通研) ,  瀧田佑馬 (理研) ,  南出泰亜 (理研) ,  佐野栄一 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 375(ED2016 80-95)  ページ： 17-22  発行年： 2016年12月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,テラヘルツ波を用いたイメージングが注目を集めている。本研究では,イメージングアレイへの搭載に向けて,イメージングピクセルを180nm Si CMOSプロセスを用いて設計・試作し評価した。イメージングピクセルは,MOSFETの非線形性を用いたテラヘルツ検出器,マイクロストリップパッチアンテナ,およびインピーダンス整合回路より構成される。イメージングピクセルのサイズは250x180μm²である。イメージングピクセルはキャリア周波数0.915THzにおいて51.9kV/WのResponsivity,変調周波数31Hzにおいて358pW/Hz^1/2のNEP(Noise Equivalent Power)を示した。NEPは100kHzで変調することで42pW/Hz^1/2が期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *検出器 ,  *画像処理 ,  *非線形性 ,  パッチアンテナ ,  インピーダンス整合 ,  *テラヘルツ波検出器
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  イメージング ,  マイクロストリップパッチアンテナ

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSプロセス ,  テラヘルツ ,  検出器 ,  設計 ,  評価