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J-GLOBAL ID：201702276934315204   整理番号：17A1729110

Pt/HfO_2/Ti/Ptメムリシスタ素子におけるスイッチング現象の研究【Powered by NICT】

Investigations of switching phenomena in Pt/HfO₂/Ti/Pt memristive devices

著者 (4件)： Garda Bartlomiej (AGH University of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krako ́w, Poland) ,  Kasinski Krzysztof (AGH University of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krako ́w, Poland) ,  Ogorzalek Maciej (Jagiellonian University, Krako ́w, Poland) ,  Galias Zbigniew (AGH University of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCTD  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メムリスティブ素子の時間領域実験室測定の結果を示した。メモリスタ成形のプロセスの動力学を研究し,記憶抵抗(memristor)のスイッチング機構を調べた。測定結果は,酸化物ベースのメモリスタの標準モデルと比較した。耐久性はこのタイプのメモリスタの問題であるかもしれないことを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐久性 ,  *スイッチング ,  規範モデル ,  酸化物
準シソーラス用語： メモリスタ ,  時間領域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  Ti ,  スイッチング ,  現象 ,  研究