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J-GLOBAL ID：201702277138667475   整理番号：17A0471609

ZnOにおける構造と性質の関係:原子および分子層堆積によりフレキシブル基板上に成長させたAlヒドロキノン膜【Powered by NICT】

Structure-property relationships in ZnO:Al-hydroquinone films grown on flexible substrates by atomic and molecular layer deposition

著者 (6件)： Luka Grzegorz (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland) ,  Wachnicki Lukasz (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland) ,  Witkowski Bartlomiej S. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland) ,  Jakiela Rafal (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland) ,  Virt Ihor S. (University of Rzeszow, Rzeszow, Poland) ,  Virt Ihor S. (Drogobych Pedagogical University, Drogobych, Ukraine)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 119  ページ： 297-302  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO:Alヒドロキノン(AZO HQ)膜を原子および分子層堆積(ALD/MLD)によるポリ(エチレンテレフタレート)(PET)基板上に成長させた。膜中の有機含有量は0から約4vo1%まで変化した。膜の構造および電気的特性に関する研究を行った。電気的測定は,膜の曲げ下で行った。有機物含有量の異なる膜における圧抵抗効果を観測し,特徴を述べた。臨界曲げ半径,臨界歪,および圧電抵抗係数の値は膜の微細構造に関連していた。ピエゾ抵抗はa軸に沿ったZnO微結晶の変形に対する増強されることが分かった高い臨界歪は,変形方向に配向した長い微結晶により影響を受けていた。有機含有量の2vo1%のAZO HQ膜は最低の臨界曲げ半径と研究した膜の中で最高の臨界歪で特徴づけられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微細構造 ,  電気測定 ,  有機物 ,  圧電気 ,  *アルミニウム ,  微結晶 ,  圧抵抗効果 ,  *酸化亜鉛 ,  抗力係数 ,  電気的性質 ,  臨界 ,  *フレキシブル基板 ,  多価フェノール
準シソーラス用語： 圧電抵抗 ,  曲げ半径 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  分子層堆積 ,  電気的性質 ,  圧抵抗効果

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

物質索引 (1件)： ヒドロキノン

タイトルに関連する用語 (9件)： ZnO ,  性質 ,  原子 ,  分子 ,  堆積 ,  フレキシブル基板 ,  成長 ,  Al ,  ヒドロキノン