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J-GLOBAL ID：201702277186720343   整理番号：17A1399134

電気光学機能性を可能にするための歪シリコンデバイスにおける最近の進歩【Powered by NICT】

Recent advances in strained silicon devices for enabling electro-optical functionalities

著者 (4件)： Olivares Irene (Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain) ,  Angelova Todora Ivanova (Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain) ,  Gutierrez Ana Maria (Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain) ,  Sanchis Pablo (Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICTON  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 十年以上前,Pockels効果はシリコンの結晶対称性の破れによる可能性があることを実証した。それ以来,歪シリコンデバイスは,シリコン導波路の頂部に堆積した高応力クラッド層(典型的には窒化けい素,SiN)を用いて開発した。しかし,最近キャリア効果が重要な役割を果たしていると思われ,誘起されたPockels効果は過大評価されたことが示された。本研究では,この分野における最近の進歩をレビューし,最後の結果は,電気光学応答に及ぼす界面トラップの強い影響でもあることを示す。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Pockels効果 ,  *ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  導波路
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  光応答 ,  クラッド層 ,  結晶対称性 ,  *歪シリコン ,  *機能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光学機能 ,  歪シリコン