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J-GLOBAL ID：201702277310361825   整理番号：17A0939163

多段階スパッタリングプロセスによるTiON薄膜における同調可能な欠陥工学:Schottkyダイオードから抵抗スイッチングメモリへ【Powered by NICT】

Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: from a Schottky diode to resistive switching memory

著者 (8件)： Su Teng-Yu (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan, Republic of China. [e-mail]) ,  Huang Chi-Hsin ,  Shih Yu-Chuan ,  Wang Tsang-Hsuan ,  Medina Henry ,  Huang Jian-Shiou ,  Tsai Hsu-Sheng ,  Chueh Yu-Lun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 25  ページ： 6319-6327  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥工学の役割は抵抗スイッチングメモリに不可欠である。本研究では,抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイスのためのTiONを作製するための多段階スパッタリング過程を実証し,詳細な機構を系統的に調べた。多段スパッタしたTiON膜は非対称欠陥分布を示し,Schottkyダイオードと抵抗スイッチング挙動としてメモリとして整流特性を示し,印加バイアスに依存した。±1.5Vで整流比10~2の1.5Vで~2mAの順方向電流,1.5Vのターンオン電圧と4.5の理想因子を含む,整流特性を測定した。添加では,一段階スパッタリングプロセスによって調製したTiON ReRAMデバイスと比較して,欠陥の傾斜分布を持つTiON膜はより良好な均一なSET電圧(V_SET)で安定なスイッチング挙動と0.49から0.17まで改善する変動(σ/μ)の係数を示した。二種類のデバイスの伝導機構はトラップ制御空間電荷制限伝導(SCLC)法により調べた。非対称欠陥の分布は抵抗スイッチング挙動にどのように影響するかの機構を詳細に議論した。結果は,Schottkyダイオード応用に向けた欠陥工学の変調の可能性を明らかにし,今後の1ダイオード1抵抗器(1D1R)応用のためのReRAM性能の改善をもたらした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  *薄膜 ,  *記憶装置 ,  *スパッタリング ,  電圧 ,  整流 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *ダイオード ,  電流 ,  非対称性 ,  *スイッチング
準シソーラス用語： 空間電荷制限伝導 ,  *抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 段階 ,  スパッタリング ,  プロセス ,  薄膜 ,  同調 ,  欠陥 ,  工学 ,  Schottkyダイオード ,  抵抗スイッチングメモリ