Zhou Xintian について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Su Hongyuan について
Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Wang Yan について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Yue Ruifeng について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Dai Gang について
Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China について
Li Juntao について
Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China について
IEEE Transactions on Electron Devices について
繰返し試験 について
短絡【電気】 について
電気試験 について
炭化ケイ素 について
MOSFET について
劣化 について
正孔 について
ホットキャリア について
信頼性 について
故障解析 について
バイアス について
電圧 について
ゲート絶縁膜 について
励起 について
伝送特性 について
キャリア捕獲 について
衝突イオン化 について
温度変動 について
シミュレーション について
短絡試験 について
4H-SiC について
ホット正孔 について
長期信頼性 について
バイアス電圧 について
ゲート酸化膜 について
電荷ポンピング について
正孔捕獲 について
電熱効果 について
トランジスタ について
固体デバイス計測・試験・信頼性 について
短絡試験 について
MOSFET について