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J-GLOBAL ID：201702277393014296   整理番号：17A1170533

パターン抵抗/導電性SiCテンプレート上のAlGaNH EMT【Powered by NICT】

AlGaN HEMTs on patterned resistive/conductive SiC templates

著者 (10件)： Prystawko Pawel (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Unipress, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Prystawko Pawel (TopGaN Ltd, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Sarzynski Marcin (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Unipress, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Sarzynski Marcin (TopGaN Ltd, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Nowakowska-Siwinska Anna (TopGaN Ltd, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Crippa Danilo (LPE, Via Falzarego, 8-20021 Baranzate, MI, Italy) ,  Kruszewski Piotr (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Unipress, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Wojtasiak Wojciech (Institute of Radioelectronics, Technical University, Warsaw, 00-665 ul. Nowowiejska 15/19, Poland) ,  Leszczynski Mike (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Unipress, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Leszczynski Mike (TopGaN Ltd, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 464  ページ： 159-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC上の高性能GaNベース高電子移動度トランジスタ(HEMT)を低ミスカット(0.45°),抵抗基板,非常に高価なを必要とする。費用効率の高い解決策,すなわち抵抗SiCテンプレートを用いて,安価な,導電性SiC基板上の厚い抵抗SiCエピタキシャル層を成長させた。しかし,この方法ははるかに高いミスカット(2 8°)を必要とする。本研究では,抵抗SiCテンプレートの高ミスカットを減少させる局所的に,GaNエピタクシーのための許容レベルまでできる横方向パターン形成技術を示した。このようなパターン化SiCテンプレート,平滑なAlGaN/GaN構造を成長させた。デバイス作製用の利用可能な平坦領域の最大幅はほぼ100μmであった。これら平坦領域ではAlGaN系H EMTを作製し,特性化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： パターン形成 ,  HEMT ,  結晶形態 ,  *導電性 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  *炭化ケイ素 ,  許容量 ,  *窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  AlGaN/GaN ,  エピタキシャル層 ,  低価格 ,  ミスカット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1結晶形態 ,  A3有機金属化学蒸着 ,  B1窒化物 ,  B2半導性III-V材料 ,  B3高電子移動度トランジスタ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 導電性 ,  SiC ,  テンプレート ,  EMT