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J-GLOBAL ID：201702277413851388   整理番号：17A1273426

SiC MOSFETのためのチャネル設計の比較研究:蓄積モードチャネル対反転モードチャネル【Powered by NICT】

A comparative study of channel designs for SiC MOSFETs: Accumulation mode channel vs. inversion mode channel

著者 (3件)： Sung Woongje (Colleges of Nanoscale Science and Engineering, State University of New York Polytechnic Institute, Albany, NY 12203, USA) ,  Han Kijeong (Electrical and Computer Engineering, Power America Institute, North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA) ,  Baliga B. Jayant (Electrical and Computer Engineering, Power America Institute, North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 375-378  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,蓄積モードと反転モード1.2kV SiC MOSFETの電気特性の詳細な比較,高温(200°Cまで)での性能を提供する。6インチSiCウエハ上に50以上の金型から測定した統計的データは,この比較のために用いた。蓄積モードSiC MOSFETは,より高いチャネル移動度(~ 22 cm~2/V s)による反転モードMOSFETよりも低い比オン抵抗を提供する合理的なしきい値電圧(~ 2.3 V)を得ることができると結論した。統計的データ分析に基づいて,閾値電圧と電界効果チャネル移動度の間の強い相関を同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  *炭化ケイ素 ,  モード1 ,  統計データ ,  *MOSFET ,  電場効果 ,  電気特性 ,  *チャネル ,  高温
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  チャネル移動度 ,  *蓄積モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  チャネル ,  設計 ,  研究 ,  蓄積モード ,  反転